• [1]顾伟霞,马锡英.MoS_2/Si异质结的接触和伏安特性的研究(英文)[J].苏州科技大学学报(自然科学版),2015,32(02):41-46.
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    MoS_2/Si异质结的接触和伏安特性的研究(英文)
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    苏州科技大学学报(自然科学版)[ISSN:2096-3289/CN:32-1871/N]

    卷:
    32
    期数:
    2015年02期
    页码:
    41-46
    栏目:
    出版日期:
    2015-04-30

    文章信息/Info

    作者:
    顾伟霞;马锡英;
    苏州科技学院数理学院;
    关键词:
    MoS2/Si异质结接触特性伏安特性
    文献标志码:
    A
    摘要:
    单层硫化钼(MoS2)因具有直接带隙和特殊的六方晶系层状结构,而呈现优异的光学特性和电学特性;趐-n结扩散模型推导了MoS2/Si异质结的接触特性和伏安特性,分析了不同施主掺杂浓度(n-MoS2)和受主掺杂浓度(p-Si)对能带结构和输运特性的影响。研究表明:MoS2/Si异质结的内建电势和势垒区宽度由施主、受主掺杂浓度共同决定。随着掺杂浓度的升高,内建电势VD逐渐增大,而势垒区宽度XD呈明显减小的趋势。另外,发现p-Si的受主掺杂浓度决定了MoS2/Si异质结的电流密度和反向饱和电流密度,均随着p-Si的受主掺杂浓度的增大而减小,但与n-MoS2的掺杂浓度关系不大。

    备注/Memo

    备注/Memo:
    国家自然科学基金资助项目(60976071)
    更新日期/Last Update: 1900-01-01
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